SiC概念株の上昇が激しい！漢磊の技術突破は株価を支えることができるのか、それともまた別の投機の宴なのか？

最近半導體セクターの熱気は衰えず、その中でもSiC（炭化ケイ素）関連株が市場の注目を集めている。漢磊（3707）を例にとると、同社は最近、炭化ケイ素技術の進展により市場の関心を引き、株価はわずか4取引日で3度のストップ高を記録し、57.7元まで上昇、過去1年で最高値を更新し、月間上昇率は25%を突破し、資金が追いかけるホットな銘柄となっている。

技術突破が市場の想像力を刺激

漢磊の株価上昇を促した核心的な触媒は、同社の炭化ケイ素分野での大きな進展にある。漢磊は、SiC第4世代MOSFET製造プラットフォーム（G4）で重要な突破を達成したと発表した。従来の方案と比較して、新プラットフォームはチップ面積を20%縮小し、導通抵抗も同時に20%低減、技術指標は国際先進水準に追いついた。この進展は、漢磊のSiC関連株における技術的地位の向上を示すだけでなく、AIチップのリーディング企業であるNVIDIA（英偉達）が次世代GPU製品にSiC材料を導入する可能性が市場で噂されていることもあり、漢磊は潜在的なサプライチェーンの一角として、「新たなリーダー」として資金の目を引き、外資や自己取引業者が共同で仕掛ける動きも見られる。

投機資金の流入と短期勝負が主流に

株価の上昇の背後には、投機的な勢力も潜んでいる。連続して2回のストップ高を演じた後、漢磊の株は先週金曜日に劇的な反転を見せた。午前中に56.5元まで急騰し、上昇率は4.24%だったが、その後、大口の売りに狙われて逆に下落し、最終的には3.14%下落して52.5元で引けた。さらに警戒すべきは、その日の現物株のデイトレードの取引量が50,285枚に達し、デイトレ比率は71%を超えたことだ。これは、取引の7割以上が短期の売買であり、市場は投機資金の戦場と化していることを示す。このような極端な短期変動は、しばしばファンダメンタルズと株価の間に大きな乖離を示唆している。

財務実態と株価の輝きのギャップ

漢磊の経営データを詳しく見ると、株価の動きとは全く異なる実態が見えてくる。同社は連続7四半期赤字に陥っており、今年上半期の一株当たり純損失は1.02元に達している。収益性は引き続き圧迫されている。7月の売上高は前月比でやや改善したものの、1月から7月までの累計売上高は前年同期比で7.9%減少しており、業績の成長は乏しい。これにより、現在の株価の熱狂は「未来の想像」に基づくものであり、「実際の業績」ではないことが明らかだ。SiC関連株の物語は魅力的だが、実際の利益転換にはまだ距離がある。

リスク警告：技術突破は投資チャンスに直結しない

投資家にとって、漢磊のSiC技術の進展は確かに注目に値するが、ファンダメンタルズと株価の大きな乖離に対しては警戒が必要だ。技術革新は実質的な業績の成長に転換されるまで時間がかかることが多く、短期資金の熱狂は儚いものとなりやすい。SiC関連株の上昇が続く中、ホットな話題を追いかけるのは魅力的だが、その背後にあるファンダメンタルリスクを無視すると致命的だ。想像の空間が消えた後、市場は冷静さを取り戻すことになる。